Назва: SOME ASPECTS OF THE THEORY OF DEFECT ANNEALING IN IRRADIATED CdSb CRYSTALS
Вантажиться...
Дата
Автори
Назва журналу
Номер ISSN
Назва тому
Видавець
Lutsk: LNTU
Анотація
The processes of formation and rearrangement of radiation defects during irradiation and annealing can be considered as a set of quasichemical reactions of different orders. Some of them are difficult to reduce to a form that would allow analyzing the time dependence of the defect concentration during annealing.
An important parameter that determines the kinetics of defect annealing is the annealing activation energy. There are many methods for determining this energy. We used the cross-section method, which is based on the analysis of Arrhenius curves at different annealing temperatures. To determine the thermal stability region of radiation defects, the isochronal
annealing method was used
Опис
У роботі досліджуються процеси утворення і перебудови радіаційних дефектів при опроміненні і відпалі можна розглядати як сукупність квазіхімічних реакцій різного порядку. Деякі із них важко звести до форми, яка б давала можливість проаналізувати часову залежність концентрації дефектів при відпалі.
Важливим параметром, який визначає кінетику відпалу дефектів, є енергія активації відпалу. Існує багато методів визначення цієї енергії. Ми користувалися методом перерізів, який ґрунтується на аналізі кривих Арренiуса при різних температурах відпалу. Для визначення області термостійкості радіаційних дефектів використовувалася методика ізохронного відпалу.
Ключові слова
radiation defect, irradiation, annealing, CdSb crystal, activation energy, diffusion
Бібліографічний опис
Urban O., Fedosov S., Yashchynskyy L. SOME ASPECTS OF THE THEORY OF DEFECT ANNEALING IN IRRADIATED CdSb CRYSTALS. Наукові нотатки. 2025. № 84. URL: https://doi.org/10.36910/775.24153966.2025.84.27