Наукові статті
Permanent URI for this collectionhttps://repository.lntu.edu.ua/handle/123456789/289
Browse
62 results
Search Results
Item type:scientificarticle.listelement.badge, Напружена кристалічна решітка n-Si за наявності домішки фосфору(Луцьк: ЛНТУ, 2026) Федосов, Сергій Анатолійович; Ящинський, Леонід Васильович; Коваль, Юрій Васильович; Захарчук, Дмитро Андрійович; Панасюк, Леонід Іванович; Коваль, Назар ЮрійовичУспішне застосування гетеропереходів у різних пристроях зумовлене здатністю технології епітаксії вирощувати напівпровідникові матеріали з узгодженою структурою решітки одна на одній практично без пасток на границі поділу. Тому актуальним є вивчення (дослідження) характеристик (параметрів, поведінки) напівпровідникових матеріалів зумовлених деформаціями кристалічної решітки і деформаційних змін їх властивостей при наявності домішок. Це може надати важливу інформацію при моделюванні гетероструктур і успішному застосуванні гетеропереходів (напруженої гетероепітаксії) у створенні різних пристроїв з прогнозованими властивостями. При деформації кристалічної решітки кристалів n-Ge і n-Si важливою характеристикою є параметр анізотропії рухливості K. Для достатньо чистих кристалів n-Ge сукупність кривих ρX/ρ0 = f(Х) для різних температур у випадку Х || j || [111] характеризується в області температур T > 120 K по суті єдиним значенням плато ρ∞/ρ0, яким визначається величина параметру анізотропії рухливості. Для коректного визначення параметра K в n-Si у подібних випадках експериментальні дані за поздовжнім п’єзоопором необхідно доповнити результатами вимірювань поперечного п’єзоопору. В роботі комплексно досліджено особливості змін електрофізичних параметрів при деформації кристалічної решітки, що відрізняють германій і кремній n-типу, пов’язані з неадекватністю механізмів розсіювання в цих кристалах для напруженої гетероепітаксії. Встановлено, що в кристалах n-Si при 78 K значення параметрів анізотропії рухливості і розсіювання електронів при малих концентраціях донорної домішки, тобто в умовах переважання розсіювання на акустичних фононах, як і в n-Ge, можна надійно визначити за даними лише поздовжнього п’єзоопору. При концентраціях же легуючої домішки, які забезпечують змішане розсіювання, а також при підвищенні температури для коректного визначення параметра K у n-Si необхідні вимірювання як поздовжнього, так і поперечного п’єзоопору в області насичення кривих ρ = ρ(Х).Item type:scientificarticle.listelement.badge, Диністорний ефект у кристалах n -CdSb(Івано-Франківськ, 2026) Федосов, Сергій Анатолійович; Коваль, Юрій Васильович; Захарчук, Дмитро Андрійович; Ящинський, Леонід ВасильовичДосліджено вольт-амперні характеристики кристалів кадмію та сурми, легованих телуром (n-CdSb:Te). Виявлено специфічні зміни вольт - амперних характеристик n -CdSb з різною кількістю легуючої домішки та різною інтенсивністю освітлення за температур від рідкого азоту та дещо вищих. Характер зміни вольт - амперної характеристики мав S-подібну форму (диністорний ефект). Для всіх груп зразків залежності струму, що протікає через кристал, від прикладеної напруги показали перехід матеріалу з низькопровідного у високопровідний стан. У процесі переходу у високопровідний стан незначне збільшення струму супроводжувалося швидким зменшенням напруги на зразку.Item type:scientificarticle.listelement.badge, Федосов Анатолій Васильович(Київ: Інститут енциклопедичних досліджень НАН України, 2026) Баранський, Петро Іванович; Ящинський, Леонід ВасильовичФЕДО́СОВ Анатолій Васильович — фізик, доктор фізико-математичних наук, професор. Закінчив Луцький педагогічний інститут у 1969 році. Працював інженером науково-дослідної лабораторії фізики твердого тіла. Від 1977 року обіймав посади в Луцькому технічному університеті від асистента до завідувача кафедри фізики та проректора з науково-педагогічної роботи. Здійснював наукові дослідження у галузі фізики напівпровідників та діелектриків. Діяльність науковця була пов'язана з розвитком фізики напівпровідників та роботою у вищих навчальних закладах Луцька.Item type:scientificarticle.listelement.badge, Поверхневі ефекти в кристалах CdSb, опромінених нейтронами(2026) Федосов, Сергій Анатолійович; Панасюк, Леонід Іванович; Ящинський, Леонід Васильович; Шимчук, Сергій Петрович; Урбан, Оксана АнатоліївнаДосліджено вплив структурних дефектів в CdSb, опроміненому швидкими нейтронами до 2 ⸱ 10^ 18 н/см ^2 , на стан поверхні кристала. Показано, що під час зберігання опромінених кристалів їхня поверхня (шар 60 ÷ 80 мкм) збільшує свою провідність. Запропоновано модель, яка пояснює вплив опромінення на стан поверхні кристала. Експериментально визначено енергію міграції міжвузлових атомів кадмію, значення коефіцієнтів дифузії при різних температурах та частотний фактор. Також детально досліджено ізохронний відпал радіаційних дефектів в кристалах CdSb, опромінених нейтронами.Item type:scientificarticle.listelement.badge, A Formal Methodology for Workload-Driven Comparative Evaluation of Cloud Infrastructure Architectures(2026-06-22) Kozlovskiy, Valeriy; Lysetskyi, Yurii; Bakun, Nikita; Kozlovska, Diana; Yakymchuk, NataliiaIn this paper we propose a formal approach for workload-driven comparative evaluation of cloud infrastructure architectures that support objective architectural decision making in dynamic operating scenarios. The novelty of the work is an integrated framework, which combines cost modeling that is workload dependent, autoscaling behavior, dynamic pricing models and infrastructure as code (IaC)-based representations of architectures in one single evaluation methodology. Different to former approaches which employ pricing calculation tools that fix the prices, or report individual cost measures, or use expertise of humans, the proposed approach represents architectural candidates as scenario-dependent systems, which are able to provide accurate cost and performance estimation based on the intensity of workload and scaling dynamics. Real architectures instead of just infrastructure models can be evaluated by formally representing an IaC configuration in terms of the used analytic cost and performance models. We evaluate our methodology using production data of a real-world application and prove our model has a 94% accuracy in estimating costs and significantly reduce architectural design and evaluation time.Item type:scientificarticle.listelement.badge, Аналіз факторів, які впливають на чутливість піроелектричних приймачів теплового випромінювання у давачах руху(Луцьк: ЛНТУ, 2024) Мороз, Сергій Анатолійович; Лишук, Віктор Васильович; Чалий, Василь ДмитровичВ статті проведений аналіз одного з різновидів давачів, які використовуються в технологіях Smart City. Зокрема розглянуті давачі на основі піроелектричних приймачів , що реєструють теплове випромінювання, зокрема випромінювання людського тіла. Встановлено, що для оцінки ефективності роботи приймачів випромінювання використовується ряд характеристик, досить важливими з яких є чутливість та поріг чутливості. Наведені математичні відношення, які описують чутливість приймача як комплексну частотну характеристику, що пов’язує реакцію піроелектричного приймача та вплив на нього у вигляді гармонійного потоку. Представлені характеристики порогу чутливості приймача та формули для визначення даної характеристики. Встановлено, що для визначення порогу чутливості піроелектричних приймачів теплового випромінювання необхідно знати рівень шумів його чутливого елемента. Для виведення відповідних формул представлена еквівалентна схема піроелектричного приймача. Встановлені джерела шумів піроелектричних елементів, зокрема тепловий (джонсонівський) шум навантажувального опору, тепловий (джонсонівський) шум опору діелектричних втрат чутливого елементу, шумова ЕРС вимірювальної схеми, ввідний шумовий струм вимірювальної схеми, температурний шум чутливого елементу. Подана графічна залежність величини шумів від різних джерел для типового детектора з електричною та тепловою постійними часу. Зроблені відповідні висновки за результатами аналізу.Item type:scientificarticle.listelement.badge, Аналіз технічних характеристик термодавачів для проектування електронних термометрів(Луцьк: ЛНТУ, 2022) Мороз, Сергій Анатолійович; Заблоцький, Валентин Юрійович; Приступа, Станіслав Олексійович; Євсюк, Микола Миколайович; Лишук, Віктор ВасильовичВ статті проведений аналіз технічних особливостей, які необхідно враховувати під час побудови медичних термометрів. Розглянута класифікація електронних медичних термометрів для вимірювання температури людини. Проведено аналіз термометрів з точки зору їх придатності для моніторингу температурних коливань на поверхні біологічного об'єкту. Розглянута залежність роздільної здатності термометра для різних діапазонів температур. Виявлено, що роздільна здатність термометра (крутизна) пов'язана з його коефіцієнтом передачі. Розширення діапазону вимірюваних температур призводить до зниження коефіцієнта передачі, і навпаки, зниження діапазону призводить до збільшення крутизни в стільки ж разів. Важливо відзначити, що при обмеженій максимальній вихідній напрузі термометра існує сталість відтворення діапазону контрольованих температур ΔT на коефіцієнт перетворення температури в напругу U/°C. Проведений порівняльний аналіз різних типів давачів температури зокрема, перетворювач температура - напруга (TC1047) фірми Micirochip в корпусі SOT23, термодавач (SMT16030) фірми Smartec в корпусі TO18, термістор (203JG1F) фірми NTC в корпусі DO35, (LM19) фірми National Semiconductor в корпусі TO92, і (TSIC306) фірми Hygrosens в корпусі SO8. Розглянуто коефіцієнти інформативності перетворення термодавачів, залежності теплової постійної часу від маси давача в різних видах корпусів. Встановлено, що високу перспективу мають термометри з давачами на основі напівпровідникових діодів, оскільки давачі такого типу забезпечують високу швидкодію, малий час відгуку, роботу в режимі мікрострумів, які максимально зменшують саморозігрів давача, високу чутливість, хорошу лінійність в заданому діапазоні температур (25-40 °С), стабільність електричних параметрів. Поряд з високими експлуатаційними характеристиками давачів на основі напівпровідникового діода мають невисоку вартість.Item type:scientificarticle.listelement.badge, The Mathematical Model Development of Modular Three-Link Trailer Truck Train Motion(2026) Gandziuk, Mykola; Onyshchuk, Vasyl; Zabolotnyi, Oleg; Tkachuk, Anatolii; Grabovets, VitaliyIn the case when a multi-link vehicle consists of 3 links or more, the study of their movement is significantly complicated, since the number of factors that influence the nature of the movement of the constituent links of the road train significantly increases. During the movement of a multi-link vehicle the force interaction between its adjacent links significantly affects the entire road train, which can lead to significant deviations of its links from the movement direction set by the tractor truck. Road trains are a type of transport with increased danger, therefore, when designing and researching multi-link vehicles, it is necessary to conduct detailed theoretical and numerous experimental studies of the dynamics of their movement, which will become the basis for predicting their behavior in real conditions. Proceeding from the above, the layout scheme of a road train with 3-axle tractor, 2-axle trolley and 3-axle semi-trailer as universal and promising (developed by the companies “Scania” and “Krone”) was chosen to study its movement and develop a mathematical model of movement. This model will allow us to theoretically predict and determine the influence of our layout scheme and driving modes of 3-link road train on its operational properties. At first time the subject of mathematical modeling became the three-link road truck train with a two-axle trolley and a coupling point located outside the tractor base. This configuration was not the object of in-depth analysis in previous works. This study is comprehensive in nature and demonstrates a number of aspects that distinguish the proposed approach against the background of existing scientific developments in the field of transport system dynamics.Item type:scientificarticle.listelement.badge, A Method of Body Parts Force Displacements Calculation of Metal-Cutting Machine Tools Using CAD and CAE Technologies(2019-10-01) Chetverzhuk, Taras; Zabolotnyi, Oleg; Sychuk, Viktor; Polinkevych, Roman; Tkachuk, AnatoliiThis paper describes a developed new method of body parts force displacements calculation of metal-cutting machine tools using combination of CAD and CAE technologies. It was carried out the analysis of analytical methods and the method of finite elements of body parts force displacements calculation of metal-cutting machine tools. On the basis of it the requirements to the method of calculation of compound errors of processing and deviations of the form of the processed surfaces due to deformations of the body parts of metal-cutting machines are established. The method of designing metal-cutting machines is grounded, which is based on mathematical modeling of different processes. It gives an opportunity to evaluate the accuracy of the machine and the impact on it of the individual assembly already in the initial stages of designing. The calculation methodology was implemented using ANSYS finite element analysis. This technique was used in the calculations on the example of high-precision lathesItem type:scientificarticle.listelement.badge, Distribution of the Surface Current Density in the Plate of a Quartz Resonator(2024-10-11) Prystupa, Stanislav; Tkachuk, Anatolii; Selepyna, Yosyp; Moroz, Sergiy; Vynnychenko, Ihor; Zabolotnyi, OlegThe basis of most thermostated quartz oscillators is quartz resonators of two-turn cuts TD, SC, and AT. Resonators based on crystalline elements of these cuts, compared to resonators based on the most popular AT cut, have the main advantage – less influence of climatic and mechanical influences on the frequency, which explains their widespread use. At the same time, double-turn cut resonators have one significant drawback - insufficient mono-frequency, associated with a higher quality factor and low dynamic resistance of the side oscillation (mode B) compared to the main oscillation (mode C). Since the frequency of the secondary oscillation is only ~10% higher than the frequency of the main one, the oscillator circuit has to be complicated by introducing additional selective elements into it, mainly resonant circuits based on inductors. The purpose of the work is a theoretical study of the physical properties of the quartz element of the resonator, namely the calculation of the surface current density on the surface of the crystal element in different modes of oscillation. It has been established that the distributions of current densities over the surface of the piezoelectric element of the side mode B and the working mode C differ from each other and are asymmetrical relative to the center of the piezoelectric element